丝印代码：FDMC6675BZ；P-Channel PowerTrench® MOSFET -30 V, -20 A, 14.4 mΩ

Features Max rDS(on) = 14.4 mΩ at VGS = -10 V, ID = -9.5 A Max rDS(on) = 27.0 mΩ at VGS = -4.5 V, ID = -6.9 A HBM ESD protection level of 8 kV typical(note 3) Extended VGSS range (-25 V) for battery applications High performance trench technology for extremely low rDS(on) High power an

P 沟道 Power Trench® MOSFET -30V，-20A，14.4mΩ

FDMC6675BZ已针对在负载开关应用中损耗最小化进行了设计。 先进的硅技术和封装技术完美融合，提供了最低rDS(on)和ESD保护。 •VGS = -10 V，ID = -9.5 A时，最大rDS(on) = 14.4mΩ\n•VGS = -4.5 V，ID = -6.9 A时，最大rDS(on) = 27.0mΩ\n•HBM ESD保护等级典型值为8kV（注3）\n•扩展VGSS范围(-25 V)，适合电池应用\n•高性能沟道技术可实现极低的RDS(on)\n•高功率和高电流处理能力\n•终端无引线且符合RoHS标准;

P-Channel Power Trench짰 MOSFET -30 V, -20 A, 14.4 m廓

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包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：INTEGRATED CIRCUIT 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 单个

0.2 & 0.5 AMP SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS

• 1N6677UR-1 AVAILABLE IN JAN, JANTX, JANTXV AND JANS PER MIL-PRF-19500/610 • 0.2 & 0.5 AMP SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS • HERMETICALLY SEALED • LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT • METALLURGICALLY BONDED • DOUBLE PLUG CONSTRUCTION

0.560-INCH SEVEN SEGMENT DISPLAYS

Single P-Channel, Logic Level, PowerTrenchTM MOSFET

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0.560-INCH SEVEN SEGMENT DISPLAYS

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BIT MAP LCD DRIVER????

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