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MonolithicCommonDrainN-Channel2.5VSpecifiedPowerTrenchMOSFET

GeneralDescription ThisdualN-ChannelMOSFEThasbeendesignedusingFairchildSemiconductorsadvancedPowerTrench®processtooptimizetherDS(on)@VGS=2.5VonspecialMLPleadframewithallthedrainsononesideofthepackage. Features ■MaxrDS(on)=23mΩatVGS=4.5V,ID=10A ■M

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild

MonolithicCommonDrainN-Channel2.5VSpecifiedPowerTrench짰MOSFET20V,10A,23m廓

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FDM3300产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    FDM3300

  • 功能描述

    MOSFET 2.5V N-Ch MOSFET Common Drain

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-6-20 12:17:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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    FDG8850NZ

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    FDG6317NZ

    2021-11-2
  • FDG8850NZ

    FDG8850NZ

    2021-9-14
  • FDMC6675

    深圳市科恒伟业电子有限公司深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼516网站http://www.kehengweiyedz.cn网站http://www.kehengweiye.com邮箱:yulin522@126.com0755-8320005015817287769柯先生

    2020-4-23