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isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID=15.7A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS=100V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) =75mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC

ISC

无锡固电

N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features  VDS= 100V, ID= 18.1 A RDS(ON)

Bychip

百域芯

N-Channel PowerTrench MOSFET 100 V, 15.7 A, 75 m Ohm

文件:316.81 Kbytes Page:8 Pages

Fairchild

仙童半导体

BoostPak (N-Channel PowerTrench짰 MOSFET Diode)

文件:813.49 Kbytes Page:11 Pages

Fairchild

仙童半导体

更新时间:2025-11-3 18:11:01
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