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FDD850N10L中文资料
FDD850N10L数据手册规格书PDF详情
Features
VDS= 100V, ID= 18.1 A
RDS(ON) < 57 mΩ @ VGS = 10V
RDS(ON) < 70 mΩ @ VGS =4.5V
General Features
● Advanced Trench Technology
● Provide Excellent RDS(ON) and Low Gate
Charge
● Lead Free and Green Available
FDD850N10L产品属性
- 类型
描述
- 型号
FDD850N10L
- 功能描述
MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
更新时间：2025-7-30 19:27:00
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ONSEMI/安森美 |
25+ |
TO-252 |
34739 |
ONSEMI/安森美全新特价FDD850N10L即刻询购立享优惠#长期有货 |
|||
FAIRCHILD |
SOT-252 |
30216 |
提供BOM表配单TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S |
||||
ONSEMI |
18+ROHS |
NA |
8567 |
全新原装!优势库存热卖中! |
|||
FAIRCHILD/仙童 |
2021+ |
TO-252 |
9000 |
原装现货,随时欢迎询价 |
|||
onsemi(安森美) |
24+ |
TO-252 |
9555 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
|||
ON/安森美 |
24+ |
TO-252 |
505348 |
免费送样原盒原包现货一手渠道联系 |
|||
ONSEMI/安森美 |
21+22+ |
TO-252 |
9190 |
原装进口无铅现货 |
|||
ONSemiconductor |
24+ |
NA |
3000 |
进口原装正品优势供应 |
|||
FAIRCHILD |
1822+ |
SOT-252 |
9852 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
|||
Fairchild |
21+ |
12588 |
TO252-3 |
FDD850N10LD 价格
参考价格：￥2.5832
型号：FDD850N10LD 品牌：Fairchild Semiconductor 备注：这里有FDD850N10L多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，FDD850N10L批发/采购报价，FDD850N10L行情走势销售排排榜，FDD850N10L报价。
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BYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED 深圳市百域芯科技有限公司
中文资料: 506条
BY CHIP是一个独立研发、设计生产的自主品牌，总部设于中国台湾，深圳、海外均有办事处。 BY CHIP是由拥有十年的电子元器件研发经验团队的电子人自主创立，集场效应MOS管自主研发，封测，销售的芯片一站式服务，专业研发销售SOT89、SOP8、TO252、DFN、TO263、TO220、SOT23、SOT223、TO247、TO251等封装的中低压场效应MOS管，主要应用于小家电、无线快充、无人机、电源板、电动工具、电脑主板、LED、汽车音响、移动电源、全彩屏、变频器、逆变器、电磁炉、平衡车、电动车、智能手环等，为客户提供参数选型、技术支持、定制物料。 BYCHIP的品牌口号：Buil
