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FDD850N10L价格
参考价格：￥2.8135
型号：FDD850N10L 品牌：Fairchild 备注：这里有FDD850N10L多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，FDD850N10L批发/采购报价，FDD850N10L行情走势销售排行榜，FDD850N10L报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
FDD850N10L | isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID=15.7A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS=100V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) =75mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 |  |   |
FDD850N10L | N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features VDS= 100V, ID= 18.1 A RDS(ON) | BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED 百域芯深圳市百域芯科技有限公司 |  | |
FDD850N10L | N-Channel PowerTrench MOSFET 100 V, 15.7 A, 75 m Ohm 文件：316.81 Kbytes Page：8 Pages | FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司 |  | |
BoostPak (N-Channel PowerTrench짰 MOSFET Diode) 文件：813.49 Kbytes Page：11 Pages | FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司 | | |
FDD850N10L产品属性
- 类型
描述
- 型号
FDD850N10L
- 功能描述
MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
NA/ |
48880 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
|||
ONSEMI/安森美 |
25+ |
TO-252 |
34739 |
ONSEMI/安森美全新特价FDD850N10L即刻询购立享优惠#长期有货 |
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FAIRCHILD/仙童 |
22+ |
SOT-252 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
|||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
TO-252 |
54530 |
原装正品,假一罚十! |
|||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
|||||
ONSEMI/安森美 |
2511 |
DPAK-3TO-252-3 |
360000 |
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价 |
|||
ON |
24+ |
DPAK-3 / TO-252-3 |
25000 |
ON全系列可订货 |
|||
FSC |
12+ |
TO-252 |
58880 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
FSC/ON |
23+ |
原包装原封 □□ |
5000 |
原装进口特价供应 特价，原装元器件供应，支持开发样品 更多详细咨询 库存 |
|||
FAIRCHILD |
1822+ |
SOT-252 |
9852 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
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