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FDD850N10L价格
参考价格：￥2.8135
型号：FDD850N10L 品牌：Fairchild 备注：这里有FDD850N10L多少钱，2026年最近7天走势，今日出价，今日竞价，FDD850N10L批发/采购报价，FDD850N10L行情走势销售排行榜，FDD850N10L报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
FDD850N10L | isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID=15.7A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS=100V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) =75mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC | ISC 无锡固电 |   | |
FDD850N10L | N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features VDS= 100V, ID= 18.1 A RDS(ON) | BYCHIP 百域芯 | | |
FDD850N10L | N 沟道 PowerTrench® MOSFET 100V，15.7A，75mΩ | ONSEMI 安森美半导体 | | |
FDD850N10L | N-Channel PowerTrench MOSFET 100 V, 15.7 A, 75 m Ohm 文件：316.81 Kbytes Page：8 Pages | FAIRCHILD 仙童半导体 | | |
BoostPak (N-Channel PowerTrench짰 MOSFET Diode) 文件：813.49 Kbytes Page：11 Pages | FAIRCHILD 仙童半导体 | | ||
BoostPak（N 沟道，PowerTrench® MOSFET + 二极管），100 V，15.3A，75 mΩ | ONSEMI 安森美半导体 | |
FDD850N10L产品属性
- 类型
描述
- 型号
FDD850N10L
- 功能描述
MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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