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FDD850N10L价格
参考价格：￥2.8135
型号：FDD850N10L 品牌：Fairchild 备注：这里有FDD850N10L多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，FDD850N10L批发/采购报价，FDD850N10L行情走势销售排行榜，FDD850N10L报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
FDD850N10L | isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID=15.7A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS=100V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) =75mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC | ISC 无锡固电 |   | |
FDD850N10L | N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features VDS= 100V, ID= 18.1 A RDS(ON) | Bychip 百域芯 | | |
FDD850N10L | N 沟道 PowerTrench® MOSFET 100V，15.7A，75mΩ | ONSEMI 安森美半导体 | | |
FDD850N10L | N-Channel PowerTrench MOSFET 100 V, 15.7 A, 75 m Ohm 文件：316.81 Kbytes Page：8 Pages | Fairchild 仙童半导体 | | |
BoostPak (N-Channel PowerTrench짰 MOSFET Diode) 文件：813.49 Kbytes Page：11 Pages | Fairchild 仙童半导体 | | ||
BoostPak（N 沟道，PowerTrench® MOSFET + 二极管），100 V，15.3A，75 mΩ | ONSEMI 安森美半导体 | |
FDD850N10L产品属性
- 类型
描述
- 型号
FDD850N10L
- 功能描述
MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
|||||
Fairchild仙童 |
25+ |
DPAK |
12300 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
|||
ONSEMI |
25+ |
NA |
8567 |
全新原装!优势库存热卖中! |
|||
VBSEMI/微碧半导体 |
24+ |
TO252 |
7800 |
全新原厂原装正品现货,低价出售,实单可谈 |
|||
onsemi(安森美) |
24+ |
TO-252 |
9555 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
|||
FSC/ON |
23+ |
原包装原封 □□ |
5000 |
原装进口特价供应 特价，原装元器件供应，支持开发样品 更多详细咨询 库存 |
|||
FAIRCHILD |
SOT-252 |
30216 |
提供BOM表配单TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S |
||||
FAIRCHILD/仙童 |
1905+ |
TO-252 |
98500 |
原装正品现货,可开发票,假一赔十 |
|||
24+ |
N/A |
65000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
||||
ON |
24+ |
DPAK-3 / TO-252-3 |
25000 |
ON全系列可订货 |
FDD850N10L规格书下载地址
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