FDD850N10L价格

参考价格:¥2.8135

型号:FDD850N10L 品牌:Fairchild 备注:这里有FDD850N10L多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,FDD850N10L批发/采购报价,FDD850N10L行情走势销售排行榜,FDD850N10L报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
FDD850N10L

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID=15.7A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS=100V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) =75mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC

ISC

无锡固电

FDD850N10L

N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features  VDS= 100V, ID= 18.1 A RDS(ON)

Bychip

百域芯

FDD850N10L

N 沟道 PowerTrench® MOSFET 100V,15.7A,75mΩ

ONSEMI

安森美半导体

FDD850N10L

N-Channel PowerTrench MOSFET 100 V, 15.7 A, 75 m Ohm

文件:316.81 Kbytes Page:8 Pages

Fairchild

仙童半导体

BoostPak (N-Channel PowerTrench짰 MOSFET Diode)

文件:813.49 Kbytes Page:11 Pages

Fairchild

仙童半导体

BoostPak(N 沟道,PowerTrench® MOSFET + 二极管),100 V,15.3A,75 mΩ

ONSEMI

安森美半导体

FDD850N10L产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    FDD850N10L

  • 功能描述

    MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-11-3 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
FAIRCHILD/仙童
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48880
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
FAIRCHILD/仙童
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