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FDD850N10L价格
参考价格:¥2.8135
型号:FDD850N10L 品牌:Fairchild 备注:这里有FDD850N10L多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,FDD850N10L批发/采购报价,FDD850N10L行情走势销售排行榜,FDD850N10L报价。型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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FDD850N10L | iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=15.7A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=75mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | ||
FDD850N10L | N-channelEnhancementModePowerMOSFET Features VDS=100V,ID=18.1A RDS(ON) | BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED 百域芯深圳市百域芯科技有限公司 | ||
FDD850N10L | N-ChannelPowerTrenchMOSFET100V,15.7A,75mOhm 文件:316.81 Kbytes Page:8 Pages | FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司 | ||
BoostPak(N-ChannelPowerTrench짰MOSFETDiode) 文件:813.49 Kbytes Page:11 Pages | FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司 |
FDD850N10L产品属性
- 类型
描述
- 型号
FDD850N10L
- 功能描述
MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通)
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
NA/ |
48880 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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FSC |
24+ |
TO-252 |
8000 |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
TO-252 |
54530 |
原装正品,假一罚十! |
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ONSEMI/安森美 |
21+22+ |
TO-252 |
9190 |
原装进口无铅现货 |
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ON/安森美 |
24+ |
TO-252 |
505348 |
免费送样原盒原包现货一手渠道联系 |
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ONSEMI |
18+ROHS |
NA |
8567 |
全新原装!优势库存热卖中! |
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onsemi(安森美) |
24+ |
TO-252 |
9555 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO252 |
27950 |
郑重承诺只做原装进口现货 |
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Fairchild |
21+ |
12588 |
TO252-3 |
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ON/安森美 |
24+ |
TO-252 |
56000 |
公司进口原装现货 批量特价支持 |
FDD850N10L规格书下载地址
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