位置：首页 > IC中文资料第2645页 > FDD20AN06A0_Q
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features VDS= 60V, ID= 30A RDS(ON) | Bychip 百域芯 |   | ||
N-Channel PowerTrench MOSFET 文件：608.46 Kbytes Page：11 Pages | Fairchild 仙童半导体 | | ||
isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 45A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 20mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC | ISC 无锡固电 | | ||
isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID =45A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS=60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.02Ω(Max) @VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC co | ISC 无锡固电 | | ||
N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 60V, 45A, 20m? 文件：609.14 Kbytes Page：11 Pages | Fairchild 仙童半导体 | |
FDD20AN06A0_Q产品属性
- 类型
描述
- 型号
FDD20AN06A0_Q
- 功能描述
MOSFET N-Ch PowerTrench
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FSC/ON |
23+ |
原包装原封 □□ |
24170 |
原装进口特价供应 特价，原装元器件供应，支持开发样品 更多详细咨询 库存 |
|||
FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
D-PAKTO-252 |
21590 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
|||
FAIRCHILD/仙童 |
2450+ |
TO-252 |
9850 |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
|||
FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
D-PAKTO-252 |
24190 |
原装正品代理渠道价格优势 |
|||
FAIRCHILD/仙童 |
20+ |
TO-252(DPAK) |
32500 |
现货很近!原厂很远!只做原装 |
|||
FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
TO-252(DPAK) |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
FSC |
25+23+ |
TO-252 |
15659 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
|||
FAIRCHIL |
2023+ |
TO-252 |
50000 |
原装现货 |
|||
FAIRCHILD |
24+ |
TO-252 |
36800 |
||||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
TO-252 |
30000 |
全新原装现货,价格优势 |
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2019-9-24
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