位置：首页 > IC中文资料第2645页 > FDD20AN06A0_Q
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features VDS= 60V, ID= 30A RDS(ON) | BYCHIP 百域芯 |   | ||
N-Channel PowerTrench MOSFET 文件：608.46 Kbytes Page：11 Pages | FAIRCHILD 仙童半导体 | | ||
isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 45A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 20mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC | ISC 无锡固电 | | ||
isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID =45A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS=60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.02Ω(Max) @VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC co | ISC 无锡固电 | | ||
N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 60V, 45A, 20m? 文件：609.14 Kbytes Page：11 Pages | FAIRCHILD 仙童半导体 | |
FDD20AN06A0_Q产品属性
- 类型
描述
- 型号
FDD20AN06A0_Q
- 功能描述
MOSFET N-Ch PowerTrench
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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