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N 沟道,PowerTrench® MOSFET,60V,80 A,5.6 mΩ

ONSEMI

安森美半导体

MOSFET ??N-Channel, POWERTRENCH 60 V, 80 A, 5.6 m

文件:4.06942 Mbytes Page:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID=90A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 5.7mΩ(Max) @VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC co

ISC

无锡固电

N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features  VDS= 60V, ID= 50A RDS(ON)

Bychip

百域芯

更新时间:2025-12-28 23:37:00
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