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FDD86569

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID=90A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 5.7mΩ(Max) @VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC co

ISC

无锡固电

FDD86569

N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features  VDS= 60V, ID= 50A RDS(ON)

Bychip

百域芯

N-Channel PowerTrench짰 MOSFET

文件:550.12 Kbytes Page:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

更新时间:2025-8-6 14:45:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON(安森美)
24+
标准封装
8000
原装,正品
ON
24+
TO-252
5000
十年沉淀唯有原装
ON
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全新原装现货、诚信经营!
ON
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TO-252
15000
原装原标原盒 给价就出 全网最低
ON(安森美)
24+
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原装正品现货支持实单
ON(安森美)
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新到现货,只有原装
Fairchild/ON
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TO2523 DPak (2 Leads + Tab) SC
9000
原厂渠道,现货配单
ON
24+
TO-252
5000
全新原装正品,现货销售
ON/安森美
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