| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
FDD86569 | isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID=90A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 5.7mΩ(Max) @VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC co | ISC 无锡固电 |   | |
FDD86569 | N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features VDS= 60V, ID= 50A RDS(ON) | Bychip 百域芯 | | |
MOSFET 60/20V 90A N-chnl PowerTrench MOSFET | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 文件：550.12 Kbytes Page：7 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | |
更新时间：2025-10-27 23:00:00
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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