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iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=6A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=650V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.6Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

MOSFET??Power,N-Channel,SUPERFETIII,EasyDrive

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ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

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更新时间:2025-8-4 23:00:00
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正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持

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