isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID= 14A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 650V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.19Ω(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-

功率 MOSFET，N 沟道，SUPERFET® III，Easy Drive，650 V，14 A，190 mΩ，TO-220F

N-Channel SuperFET MOSFET

文件：984.43 Kbytes Page：10 Pages

功率 MOSFET，N 沟道，SUPERFET® III，Easy Drive，650 V，17 A，190 mΩ，TO-220F

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件：320.73 Kbytes Page：2 Pages

N-Channel SuperFET MOSFET

文件：919.96 Kbytes Page：10 Pages

MOSFET ??N?륝hannel, SUPERFET III, FRFET 650 V, 20 A, 190 m

文件：400.51 Kbytes Page：10 Pages

MOSFET ??Power, N-Channel, SUPERFET III, FRFET 650 V, 20 A, 190 m

文件：519.22 Kbytes Page：10 Pages

MOSFET - Power, N?륝hannel, SUPERFET III, FAST 650 V, 190 m, 16 A

文件：417.82 Kbytes Page：10 Pages