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FCPF190N65S3L1

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=14A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=650V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.19Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
FCPF190N65S3L1

N-ChannelSuperFETMOSFET

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ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
更新时间:2025-8-4 12:57:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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