FCP11N60N价格

参考价格:¥8.4258

型号:FCP11N60N 品牌:Fairchild Semiconductor 备注:这里有FCP11N60N多少钱,2026年最近7天走势,今日出价,今日竞价,FCP11N60N批发/采购报价,FCP11N60N行情走势销售排行榜,FCP11N60N报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
FCP11N60N

N-Channel MOSFET 600V, 10.8A, 0.299廓

Description The SupreMOS MOSFET, Fairchild’s next generation of high voltage super-junction MOSFETs,employs a deep trench filling process that differentiates it from preceding multi-epi based technologies. By utilizing this advanced technology and precise process control, SupreMOS provides world

FAIRCHILD

仙童半导体

FCP11N60N

功率 MOSFET,N 沟道,SUPREMOS®,FAST,600 V,10.8 A,299 mΩ,TO-220

ONSEMI

安森美半导体

FCP11N60N

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件:301.42 Kbytes Page:2 Pages

ISC

无锡固电

N-Channel 650 V (D-S) MOSFET

文件:1.85356 Mbytes Page:8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

N-Channel 650 V (D-S) MOSFET

文件:1.03276 Mbytes Page:8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

N-Channel 650V (D-S) Power MOSFET

文件:1.94216 Mbytes Page:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

N-CHANNEL DEPLETION-MODE POWER MOSFET

文件:220.51 Kbytes Page:6 Pages

UTC

友顺

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件:297.95 Kbytes Page:2 Pages

ISC

无锡固电

FCP11N60N产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    FCP11N60N

  • 功能描述

    MOSFET SupreMOS 11A

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2026-3-1 17:30:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
30
220
FAIRCHILD/仙童
9
92
FAIRCHILD/仙童
2450+
TO-220
9850
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TO-220
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FAIRCHILD/仙童
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23+
SMD
7000
FAIRCHILD/仙童
21+
TO220
1709

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