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isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID=242A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS=75V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 2.35mΩ(Max) @VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC c

ISC

无锡固电

N-Channel PowerTrench MOSFET

文件:644.02 Kbytes Page:10 Pages

Fairchild

仙童半导体

更新时间:2025-12-28 23:37:01
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