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RFD8P06	8A, 60V, 0.300 Ohm, P-Channel Power MOSFETs These are P-Channel power MOSFETs manufactured using the MegaFET process. This process, which uses feature sizes approaching those of LSI integrated circuits gives optimum utilization of silicon, resulting in outstanding performance. They were designed for use in applications such as switching reg	Intersil	Intersil
RFD8P06E	8A, 60V, 0.300 Ohm, P-Channel Power MOSFETs These are P-Channel power MOSFETs manufactured using the MegaFET process. This process, which uses feature sizes approaching those of LSI integrated circuits gives optimum utilization of silicon, resulting in outstanding performance. They were designed for use in applications such as switching reg	Intersil	Intersil
RFD8P06E	isc P-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= -8A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= -60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.3Ω(Max)@VGS= -10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control	ISC 无锡固电	ISC
NDT8P06	P-Channel MOSFET 文件：180.58 Kbytes Page：4 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
RFD8P06E	8A, 60V, 0.300 Ohm, P-Channel Power MOSFETs 文件：128.979 Kbytes Page：8 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild

FCH8P06供应商更多...

更新时间：2025-12-27 23:01:01

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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2024-2-26
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2021-10-20
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2019-12-11
FCBS0550-智能功率模块（SPM）
一般描述它是一种先进的智能功率模块（SPM）的飞兆半导体新开发和设计提供非常紧凑，高性能的交流电机驱动器主要是针对低功耗变频驱动的应用程序，比如说冰箱。它结合了优化保护电路和驱动器匹配低损耗的MOSFET。系统的可靠性得到进一步增强，综合欠压锁定和短路保护。高高速内置HVIC提供光耦合器无单电源MOSFET栅极驱动能力，进一步减少整体大小的逆变器系统的设计。每相电流逆变器可监视分别因负分直流端子。特点 •UL认证No.E209204（SPM27- BA的包） •500伏- 5A型三相MOSFET逆变桥
2013-2-15