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型号	功能描述	生产厂家&企业	LOGO
FCH76N60N	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 76A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 36mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-D	ISC 无锡固电	ISC
FCH76N60NF	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES · Drain Current -ID=76A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS=600V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 38mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION · Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.	ISC 无锡固电	ISC
FCH76N60N	N-Channel MOSFET 文件：441.08 Kbytes Page：8 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FCH76N60NF	600V N-Channel MOSFET, FRFET 文件：539.38 Kbytes Page：8 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FCA76N60N	FCA76N60N N-Channel MOSFET 600V, 76A, 36m廓文件：720.83 Kbytes Page：8 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

FCH76N60NIC供应商更多...

更新时间：2025-8-9 15:28:01

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2024-2-26
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2021-10-20
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深圳市大唐盛世半导体有限公司手机：17727572380 。电话：0755-83226739 Q Q:626839837。微信号：15096137729
2019-12-11
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2019-12-11
FCBS0550-智能功率模块（SPM）
一般描述它是一种先进的智能功率模块（SPM）的飞兆半导体新开发和设计提供非常紧凑，高性能的交流电机驱动器主要是针对低功耗变频驱动的应用程序，比如说冰箱。它结合了优化保护电路和驱动器匹配低损耗的MOSFET。系统的可靠性得到进一步增强，综合欠压锁定和短路保护。高高速内置HVIC提供光耦合器无单电源MOSFET栅极驱动能力，进一步减少整体大小的逆变器系统的设计。每相电流逆变器可监视分别因负分直流端子。特点 •UL认证No.E209204（SPM27- BA的包） •500伏- 5A型三相MOSFET逆变桥
2013-2-15