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-40V – -20A – P-channel Power MOS FET Application : Automotive

Description This product is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features  Super low on-state resistance : RDS(on) = 25 m Max. ( VGS = -10 V, ID = -10 A ) RDS(on) = 38 m Max. ( VGS = -4.5 V, ID = -10 A )  Low input capacitance : Ciss = 16

RENESAS

瑞萨

isc P-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= -20A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= -40V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 25mΩ(Max)@VGS= -10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

ISC

无锡固电

P-Channel MOSFET

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LEIDITECH

雷卯电子

Single Phase 20.0 AMPS. Glass Passivated Bridge Rectifiers

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TSC

台湾半导体

Single Phase 20.0 AMPS. Glass Passivated Bridge Rectifiers

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TSC

台湾半导体

更新时间:2025-12-28 17:45:01
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    2019-12-11
  • FCBS0550-智能功率模块(SPM)

    一般描述 它是一种先进的智能功率模块(SPM)的飞兆半导体新开发和设计提供非常紧凑,高性能的交流电机驱动器主要是针对低功耗变频驱动的应用程序,比如说冰箱。它结合了优化保护电路和驱动器匹配低损耗的MOSFET。系统的可靠性得到进一步增强,综合欠压锁定和短路保护。高高速内置HVIC提供光耦合器无单电源MOSFET栅极驱动能力,进一步减少整体大小的逆变器系统的设计。每相电流逆变器可监视分别因负分直流端子。 特点 •UL认证No.E209204(SPM27- BA的包) •500伏- 5A型三相MOSFET逆变桥

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