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FCB070N65S3

MOSFET - Power, N-Channel, SUPERFET III, Easy Drive 650 V, 44 A, 70 m

Description SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductor’s brand−new high voltage super−junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on−resistance and lower gate charge performance. This advance technology is tailored to minimize conduction loss, prov

ONSEMI

安森美半导体

FCB070N65S3

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID= 44A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 650V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 70mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-D

ISC

无锡固电

FCB070N65S3

功率 MOSFET,N 沟道,SUPERFET® III,Easy Drive,650 V,44 A,70 mΩ,D2PAK

ONSEMI

安森美半导体

MOSFET - Power, N-Channel, SUPERFET III, Easy-drive 650 V, 70 m, 44 A

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ONSEMI

安森美半导体

更新时间:2025-12-28 23:37:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON/安森美
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30000
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