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RF LOW POWER TRANSISTOR NPN SILICON

The RF Line NPN Silicon RF Low Power Transistor Designed primarily for wideband large signal predriver stages in the 800 MHz frequency range. • Specified @ 12.5 V, 870 MHz Characteristics Output Power = 1.5 W Minimum Gain = 8.0 dB Efficiency 60 (Typ) • Cost Effective PowerMacro Pa

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更新时间:2026-3-14 20:00:00
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