ESDR0502NMUTBG价格

参考价格:¥0.4933

型号:ESDR0502NMUTBG 品牌:ONSemi 备注:这里有ESDR0502NMUTBG多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,ESDR0502NMUTBG批发/采购报价,ESDR0502NMUTBG行情走势销售排行榜,ESDR0502NMUTBG报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
ESDR0502NMUTBG

Ultra Low Capacitance ESD Protection Array

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ONSEMI

安森美半导体

ESDR0502NMUTBG

Ultra Low Capacitance ESD Protection Array for High Speed Data Line Protection

文件:126.94 Kbytes Page:5 Pages

ONSEMI

安森美半导体

ESDR0502NMUTBG

Ultra Low Capacitance ESD Protection Array for High Speed Data Line Protection

文件:160.06 Kbytes Page:5 Pages

ONSEMI

安森美半导体

ESDR0502NMUTBG

封装/外壳:6-UFDFN 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述:TVS DIODE 5.5VWM 6UDFN 电路保护 TVS - 二极管

ONSEMI

安森美半导体

Low Capacitance TVS Diode Array

Features © Ulta low capacitance 0 3pF typical(10 010) © Ultra low leakage: nA level | Low operating voltage: 5V ® Complies with following standards: © ~ IEC 61000-4-2 (ESD) immunity test | Air discharge: £20kV Contact discharge: +15kV © — IEC61000-4-5 (Lightning)3 5A (8/20us) ® RoHS

TECHPUBLIC

台舟电子

UWB: 3.7 – 4.2 GHz Chip Antenna

Features • BW of 500 MHz • Linear Polarization • VSWR

ABRACON

Rotary Potentiometer

文件:591.88 Kbytes Page:3 Pages

Bourns

伯恩斯

Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

文件:1.58629 Mbytes Page:13 Pages

Infineon

英飞凌

Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

文件:1.65262 Mbytes Page:12 Pages

Infineon

英飞凌

PIANO SWITCHES (FULL PITCH)

文件:451.75 Kbytes Page:5 Pages

COPAL

尼得科科智博电子

ESDR0502NMUTBG产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    ESDR0502NMUTBG

  • 功能描述

    TVS二极管阵列 LOW CAP TVS ARRAY

  • RoHS

  • 制造商

    Littelfuse

  • 通道

    4 Channels

  • 钳位电压

    11.5 V

  • 工作电压

    2.5 V

  • 峰值浪涌电流

    20 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 端接类型

    SMD/SMT

  • 最小工作温度

    - 40 C

  • 最大工作温度

    + 85 C

更新时间:2025-8-14 23:00:00
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