ESDR0502BT1G

时间:2019-11-22 10:45:00

ESDR0502BT1G

ESDR0502BT1G ON ESD保护装置 15V 5V优势原装现货

ESDR0502BT1G产品详细规格

Rohs Lead free / RoHS Compliant

标准包装 3,000

电压 - 反向隔离(典型值) 5V

- 击穿电压 5.8V

功率(瓦特) 20W

极化 2 Channel Array - Unidirectional

安装类型 Surface Mount

包/盒 SC-75, SOT-416

供应商器件封装 SC-75-3

包装材料 Tape & Reel (TR)

引脚数 3

安装 Surface Mount

标准包装 Tape & Reel

供应商封装形式 SOT-416

标准包装名称 SC-75

欧盟RoHS指令 Compliant

最高工作温度 150

配置 Dual Common Anode|Single

方向类型 Uni-Directional|Bi-Directional

最大钳位电压 15

封装 Tape and_Reel

最大工作电压 5

电容值 0.9|0.45

每个芯片的元件数 2

最低工作温度 -55

最大泄漏电流 1

类型 TVS

最大ESD保护电压 ±8@Contact Disc

铅形状 Gull-wing

电压 - 钳位(最大) @ IPP 15V

安装类型 Surface Mount

双向通道数 1

供应商设备封装 SC-75-3

电压 - 击穿(最小值) 5.8V

单向通道数 2

电压 - 反向隔离(标准值) 5V (Max)

应用范围 General Purpose

工作温度 -55°C ~ 150°C

电容@频率 0.5pF @ 1MHz, 0.25pF @ 1MHz

电源线保护 No

功率 - 峰值脉冲 20W

电流 - 峰值脉冲( 10/1000μS ) 2A (8/20μs)

封装/外壳 SC-75, SOT-416

RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant

其他名称 ESDR0502BT1GOSCT

极性 Unidirectional

钳位电压 15 V

工作电压 5 V

通道 2 Channels

系列 ESDR0502B

端接类型 SMD/SMT

安装风格 SMD/SMT

电容 0.5 pF

击穿电压 5.8 V

最低工作温度 - 55 C

封装/外壳 SC-75

峰值浪涌电流 2 A

最高工作温度 + 150 C

峰值脉冲功率耗散 150 mW

弧度硬化 No

工作温度最高摄氏度。 150C

工作温度敏度。 -55C

产品长度(mm ) 1.6 mm

产品厚度(毫米) 0.8 mm

产品高度(mm ) 0.75 mm

电容值 0.9pF/0.45pF

抑制器类型 TVS

ESD保护电压 ?8KV@Contact Disc

钳位电压(最大) 15V

漏电流(最大) 1uA

工作电压(最大值) 5V

删除 Compliant

泄漏电流 1uA

工作电压 5V

二极管类型 :ESD Protection

Clamping Voltage Vc Max :15V

Diode Case Style :SC-75

No. of Pins :3

MSL :-

SVHC :No SVHC (16-Dec-2013)

Weight (kg) 0.002

Tariff No. 85411000

据日经新闻报道,知情人士透露,中国存储芯片行业有望在明年产出占全球产量约5%的芯片,而去年这一比例几乎为零。

  过去几年,将人工智能作为战略重点的中国政府已投入数十亿美元去建设半导体行业。由于中美贸易战关系,美国禁止中国使用美国的某些技术,比如可用于军事和安全设备的存储芯片,加强中国自身的硬实力显得更加紧迫。

  生产NAND闪存芯片的长江存储预计到明年年底,该公司晶圆产量将增加两倍,达到每月6万片,占全球产量的5%。与此同时,长鑫存储预计到2020年,该公司DRAM芯片的产量将增加三倍,达到每月4万片,占全球DRAM产量的3%。

  当前,全球产出的NAND 和DRAM芯片大约是每月130万片/每种。这两市场都由美国、韩国和日本制造商如三星、SK海力士、美光和Kioxia铠侠(前身为东芝存储)等主导。

  业内人士表示,目前NAND与DRAM芯片在中国都是小规模生产,但质量正在提高,预计到明年,中国存储器业将逐步扩大产量。

  长江存储和长鑫存储均拒绝置评,长江存储只是表示,该公司已于9月份开始生产64层 NAND闪存,并将根据公司计划增加产量,但并没有详细的具体计划说明。

  消息人士称,长江存储的NAND闪存已接到一些国际和国内知名企业的订单,如联想,该公司计划在其电脑中使用NAND闪存芯片,用于国内销售和出口。

  “这是中国的一个里程碑,”光宝科技的一位高管表示。“与三星、SK海力士和铠侠等规模较大的公司相比,长江存储的出货量可能微不足道。但中国是一个真正的威胁,因为它的盈利理念与其它国家不同。”光宝科技与长江存储母公司清华紫光集团成立了一家合资企业。

  伯恩斯坦研究公司(Bernstein Research)资深半导体分析师Mark Li表示:“未来12个月将是关键时期。当这些内存产品在市场上广泛使用时,或将面临一系列知识产权问题。”

  另一大挑战便是,中美之间持续的技术大战。

  美国政府把200多家中国公司和组织列入实体清单,不过华为本周又获90天豁免,允许与美国公司进行特定的、有限的接触。然而,AMD公司不能再将新技术授权给其中国合资伙伴天津海光,该公司与今年6月被列入美国的实体清单。

  台湾经济研究所半导体行业分析师Arisa Liu表示,中国的存储器厂商以新来者面孔站上世界舞台将面临许多挑战和不确定性,为降低中国对国外技术的依赖,中国政府也在大力支持和推进。尽管如此,中国仍需大约3年时间,才能开始缩小与市场领军者之间的技术差距。”

鑫锐电子(香港)有限公司,18年元器件专业分销商 (授权与非授权品牌) ,一站式终端厂家配套:(质量保证 诚信经营)是公司的承诺,为客户提供品牌原装半导体,电子元器件终端配套市场,专注ESD/TVS静电保护二极管、LDO低功耗稳压管、MOS管、电池充电和管理电源、LED、光电耦合器、电阻电容、PCB解决方案领域(无线蓝牙解决方案、蓝牙运动版解决方案一站式、音箱、无线移动电源)。

主营产品:ESD静电二极管、TVS二极管、电池充电和管理电源、MOS管、LDO低功耗稳压管。

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 8月29日下午消息,阿里巴巴旗下半导体公司平头哥发布SoC芯片平台“无剑”,称可帮助芯片设计企业将设计成本降低50%,设计周期压缩50%。

  阿里方面介绍,无剑是面向AIoT时代的一站式芯片设计平台,提供集芯片架构、基础软件、算法与开发工具于一体的整体解决方案。作为系统芯片开发的基础共性技术平台,无剑由SoC架构、处理器、各类IP、操作系统、软件驱动和开发工具等模块构成。平台能够承担AIoT芯片约80%的通用设计工作量,让芯片研发企业专注于剩余20%的专用设计工作,降低系统芯片的研发门槛,提高研发效率和质量,让定制化芯片成为可能。

  据预测,2025年全球联网的IoT设备将超过400亿台,其中80%需要AI加持。

  平头哥半导体研究员孟建熠认为,芯片设计方法正在进入新的时代,但AIoT世界需要更加高效的设计方法,这将推动芯片设计进入3.0时代。未来,无剑平台还将面向MCU、工业、安全、车载、接入等应用领域,持续推出面向领域的SoC平台。(大鹏)

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Transient Voltage Suppressor ESD Protection Diodes with Ultra??ow Capacitance

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