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ESDR0502NMUTBG-TP

Low Capacitance TVS Diode Array

Features © Ulta low capacitance 0 3pF typical(10 010) © Ultra low leakage: nA level | Low operating voltage: 5V ® Complies with following standards: © ~ IEC 61000-4-2 (ESD) immunity test | Air discharge: £20kV Contact discharge: +15kV © — IEC61000-4-5 (Lightning)3 5A (8/20us) ® RoHS

TECHPUBLIC

台舟电子

UWB: 3.7 – 4.2 GHz Chip Antenna

Features • BW of 500 MHz • Linear Polarization • VSWR

ABRACON

Rotary Potentiometer

文件:591.88 Kbytes Page:3 Pages

BOURNS

伯恩斯

Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

文件:1.58629 Mbytes Page:13 Pages

INFINEON

英飞凌

Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

文件:1.65262 Mbytes Page:12 Pages

INFINEON

英飞凌

PIANO SWITCHES (FULL PITCH)

文件:451.75 Kbytes Page:5 Pages

COPAL

尼得科

更新时间:2026-2-5 11:08:00
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