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ENA1113A	RFTransistor10V,70mA,fT=5.5GHz,NPNSingleSSFP RFTransistor 10V,70mA,fT=5.5GHz,NPNSingleSSFP Features •Highcut-offfrequency:fT=5.5GHztyp •Highgain:⏐S21e⏐2=11dBtyp(f=1GHz) =19dBtyp(f=400MHz) •Ultrasmallpackagepermittingappliedsetstobesmallandslim •Halogenfreecompliance	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
ENA1113A	UHFWide-bandLow-noiseAmplifierApplications 文件：513.22 Kbytes Page：9 Pages	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社
ADPA1113	2GHzto6GHz,46dBm(40W),GaNPowerAmplifier FEATURES ►InternallymatchedandAC-coupled,40W,GaNpoweramplifier ►Integrateddrainbiasinductor ►POUT:46.5dBmtypicalfrom2.0GHzto5.7GHz(PIN=21dBm) ►Smallsignalgain:40.5dBtypicalfrom2.3GHzto5.7GHz ►Powergain:25.5dBtypicalfrom2.0GHzto5.7GHz(PIN=21	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
ADPA1113AEJZ	2GHzto6GHz,46dBm(40W),GaNPowerAmplifier FEATURES ►InternallymatchedandAC-coupled,40W,GaNpoweramplifier ►Integrateddrainbiasinductor ►POUT:46.5dBmtypicalfrom2.0GHzto5.7GHz(PIN=21dBm) ►Smallsignalgain:40.5dBtypicalfrom2.3GHzto5.7GHz ►Powergain:25.5dBtypicalfrom2.0GHzto5.7GHz(PIN=21	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
ADPA1113-EVALZ	2GHzto6GHz,46dBm(40W),GaNPowerAmplifier FEATURES ►InternallymatchedandAC-coupled,40W,GaNpoweramplifier ►Integrateddrainbiasinductor ►POUT:46.5dBmtypicalfrom2.0GHzto5.7GHz(PIN=21dBm) ►Smallsignalgain:40.5dBtypicalfrom2.3GHzto5.7GHz ►Powergain:25.5dBtypicalfrom2.0GHzto5.7GHz(PIN=21	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
A1113RW	Miniature,10WDIPSingle&DualOutputDC/DCConverters 文件：171.29 Kbytes Page：2 Pages	MPD MPD (Memory Protection Devices)
ADS1113	Ultra-Small,Low-Power,16-BitAnalog-to-DigitalConverterwithInternalReference 文件：789.44 Kbytes Page：34 Pages	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司

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更新时间：2024-4-26 17:22:00

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製造商:Intel 產品類型:轉換電壓穩壓器 RoHS:詳細資料安裝風格:SMD/SMT 封裝/外殼:QFN-38 輸出電壓:6.24V 輸出電流:4A 輸出數:1Output 最高輸入電壓:6.6V 拓撲學:Buck 輸入電壓最小:2.5V 交換頻率:3MHz 最低工作溫度:-40C 最高工作溫度:+85C 系列:EN6347 封裝:
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EN87C196KC20 十年IC，品质如一！
EN87C196KC20进口原装,军工裸片。
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