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EMB09N03A

N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

Product Summary: BVDSS 30V RDSON (MAX.) 9mΩ ID 50A UIS, Rg 100 Tested Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free

EXCELLIANCE

杰力科技

EMB09N03A

Power MOSFETs-N Channel

EXCELLIANCE

杰力科技

25V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

FEATURES • RDS(ON), VGS@10V,IDS@30A=9mΩ • RDS(ON), VGS@4.5V,IDS@30A=12mΩ • Advanced trench process technology • High Density Cell Design For Uitra Low On-Resistance • Specially Designed for DC/DC Converters and Motor Drivers • Fully Characterized Avalanche Voltage and Current

PANJIT

強茂

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更新时间:2025-12-28 13:58:00
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EMC
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TO252
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