位置：首页 > IC中文资料第339页 > ELM7785-60F
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
MICROWAVE POWER GaN HEMT FEATURES ･BROAD BAND INTERNALLY MATCHED HEMT ･HIGH POWER Pout= 48.0dBm at Pin= 41dBm ･HIGH GAIN GL= 11.5dB at Pin= 20dBm ･LOW INTERMODULATION DISTORTION IM3= -25dBc(Min.) at Pout= 29dBm (Single Carrier Level) ･HERMETICALLY SEALED PACKAGE | TOSHIBA 东芝 |   | ||
MICROWAVE POWER GaAs FET FEATURES ･BROAD BAND INTERNALLY MATCHED FET ･HIGH POWER P1dB= 48.0dBm at 7.7GHz to 8.5GHz ･HIGH GAIN G1dB= 7.5dB at 7.7GHz to 8.5GHz ･LOW INTERMODULATION DISTORTION IM3(MIN.)= -25dBc at Pout= 41dBm (Single Carrier Level) ･HERMETICALLY SEALED PACKAGE | TOSHIBA 东芝 | | ||
MICROWAVE POWER GaAs FET 文件：81.35 Kbytes Page：4 Pages | TOSHIBA 东芝 | |
ELM7785-60F产品属性
- 类型
描述
- 型号
ELM7785-60F
- 制造商
SUMITOMO ELECTRIC Device Innovations Inc
- 功能描述
High Power GaAs FETs, C-Band, 7dB, 7.7 8.5GHz, 13200mA, Bulk
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
AMI |
24+ |
NA/ |
3565 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
|||
ATC |
24+ |
SMD |
990000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
|||
SMD |
23+ |
NA |
15659 |
振宏微专业只做正品,假一罚百! |
|||
AMI |
23+ |
PLCC |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
|||
Qorvo |
24+ |
N/A |
3600 |
原厂渠道保证进口原装正品假一罚十价格合理 |
|||
TE/泰科 |
2508+ |
/ |
484664 |
一级代理，原装现货 |
|||
HALO |
2016+ |
SOP |
8850 |
只做原装,假一罚十,公司专营变压器,滤波器! |
|||
GE |
新 |
82 |
全新原装 货期两周 |
||||
24+ |
7 |
自己现货 |
|||||
ATC |
22+ |
SMD |
20000 |
只做原装 品质保障 |
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