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MICROWAVE POWER GaN HEMT

FEATURES ・BROAD BAND INTERNALLY MATCHED HEMT ・HIGH POWER Pout= 48.0dBm at Pin= 41dBm ・HIGH GAIN GL= 11.5dB at Pin= 20dBm ・LOW INTERMODULATION DISTORTION IM3= -25dBc(Min.) at Pout= 29dBm (Single Carrier Level) ・HERMETICALLY SEALED PACKAGE

TOSHIBA

东芝

MICROWAVE POWER GaAs FET

FEATURES ・BROAD BAND INTERNALLY MATCHED FET ・HIGH POWER P1dB= 48.0dBm at 7.7GHz to 8.5GHz ・HIGH GAIN G1dB= 7.5dB at 7.7GHz to 8.5GHz ・LOW INTERMODULATION DISTORTION IM3(MIN.)= -25dBc at Pout= 41dBm (Single Carrier Level) ・HERMETICALLY SEALED PACKAGE

TOSHIBA

东芝

MICROWAVE POWER GaAs FET

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东芝

ELM7785-60F产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    ELM7785-60F

  • 制造商

    SUMITOMO ELECTRIC Device Innovations Inc

  • 功能描述

    High Power GaAs FETs, C-Band, 7dB, 7.7 8.5GHz, 13200mA, Bulk

更新时间:2026-3-14 22:58:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
HALO
2016+
SOP
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只做原装,假一罚十,公司专营变压器,滤波器!
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TOSHIBA
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5500
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货

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