位置：首页 > IC中文资料第339页 > ELM7785-60F
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
MICROWAVE POWER GaN HEMT FEATURES ･BROAD BAND INTERNALLY MATCHED HEMT ･HIGH POWER Pout= 48.0dBm at Pin= 41dBm ･HIGH GAIN GL= 11.5dB at Pin= 20dBm ･LOW INTERMODULATION DISTORTION IM3= -25dBc(Min.) at Pout= 29dBm (Single Carrier Level) ･HERMETICALLY SEALED PACKAGE | TOSHIBA 东芝 |   | ||
MICROWAVE POWER GaAs FET FEATURES ･BROAD BAND INTERNALLY MATCHED FET ･HIGH POWER P1dB= 48.0dBm at 7.7GHz to 8.5GHz ･HIGH GAIN G1dB= 7.5dB at 7.7GHz to 8.5GHz ･LOW INTERMODULATION DISTORTION IM3(MIN.)= -25dBc at Pout= 41dBm (Single Carrier Level) ･HERMETICALLY SEALED PACKAGE | TOSHIBA 东芝 | | ||
MICROWAVE POWER GaAs FET 文件：81.35 Kbytes Page：4 Pages | TOSHIBA 东芝 | |
ELM7785-60F产品属性
- 类型
描述
- 型号
ELM7785-60F
- 制造商
SUMITOMO ELECTRIC Device Innovations Inc
- 功能描述
High Power GaAs FETs, C-Band, 7dB, 7.7 8.5GHz, 13200mA, Bulk
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TOSHIBA |
24+ |
SMD |
1680 |
一级代理原装进口现货 |
|||
TGI |
2450+ |
QFN |
9850 |
只做原厂原装正品现货或订货假一赔十! |
|||
原厂 |
2023+ |
模块 |
600 |
专营模块,继电器,公司原装现货 |
|||
TOSHIBA/东芝 |
26+ |
39 |
|||||
TGI |
24+ |
QFN |
64 |
||||
TOSHIBA(东芝) |
25+ |
封装 |
500000 |
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞 |
|||
TOSHIBA |
19+ |
微波高频管 |
3065 |
全新原装正品、可开增票、可溯源、一站式配单 |
|||
TOSHIBA/东芝 |
23+ |
N/A |
7560 |
原厂原装 |
|||
CONSONANCE/如韵电子 |
23+ |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
||||
APT |
25+ |
模块 |
300 |
十七年VIP会员,诚信经营，一手货源，原装正品可零售！ |
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