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ECD03N60

MOSFET

E-CMOS

飞虹高科

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current –ID=3A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS=600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 2.3Ω(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC conve

ISC

无锡固电

N-Channel 650 V (D-S) MOSFET

文件:2.52205 Mbytes Page:8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

IGBT with integrated diode in packages offering space saving advantage

文件:1.72801 Mbytes Page:16 Pages

Infineon

英飞凌

Power MOSFET

文件:193.74 Kbytes Page:3 Pages

JIANGSU

长电科技

N-CHANNEL SILICON POWER MOSFETFeatures

文件:580.87 Kbytes Page:5 Pages

Fuji

富士通

更新时间:2025-12-27 20:00:00
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