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型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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DVCR10025-LF | ELECTROLYTIC - 85째C 文件:271.86 Kbytes Page:3 Pages | DUBILIER | ||
Power MOS VITM is a new generation of low gate charge, high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs Power MOS VITM is a new generation of low gate charge, high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. Lower gate charge is achieved by optimizing the manufacturing process to minimize Cissand Crss. Lower gate charge coupled with Power MOS VITM optimized gate layout, delivers exceptionally | ADPOW | |||
Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. Power MOS V® is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. This new technology minimizes the JFET effect, increases packing density and reduces the on-resistance. Power MOS V® also achieves faster switching speeds through optimized gate layout. • Fast Recovery Body | ADPOW | |||
Nylon PCB Supports - Imperial Spacing 文件:111.86 Kbytes Page:1 Pages | Heyco | |||
1.00mm PITCH CONNECTOR 文件:429.78 Kbytes Page:1 Pages | YEONHO | |||
Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. 文件:70.81 Kbytes Page:4 Pages | ADPOW |
IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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SAMSUNG |
20+ |
TQFP80 |
500 |
样品可出,优势库存欢迎实单 |
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VERBATIM |
24+ |
SMD |
20000 |
一级代理原装现货假一罚十 |
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DUBILIER |
23+ |
NA |
83986 |
专做原装正品,假一罚百! |
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BL-E |
25+23+ |
PLCC |
34272 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
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SAMSUNG |
22+ |
TQFP80 |
8000 |
原装正品支持实单 |
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TI |
24+ |
QFP |
3003 |
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23+ |
65480 |
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TI |
2023+ |
QFP |
50000 |
原装现货 |
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RENESAS |
23+ |
原厂正规渠道 |
5000 |
专注配单,只做原装进口现货 |
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DUBILIER |
2447 |
SMD |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
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2021-5-20
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