包装：散装 描述：COVERS \u0026 1-MARKING STRIP SHEET 盒子，外壳，机架 插头板，插孔面板配件，插线板配件

包装：散装 描述：COVERS \u0026 1-MARKING STRIP SHEET 盒子，外壳，机架 插头板，插孔面板配件，插线板配件

单/双/三/四路ATM/分组PHY，用于DS3/E3/STS-1

DS3161、DS3162、DS3163和DS3164 (DS316x)集成了ATM信元/HDLC数据包处理器，具有DS3/E3成帧器和LIU，能够将ATM信元或数据包映射/反映射为多达四路的DS3/E3数据流，在每个端口提供DS3帧、E3帧或纯信道数据流。 \n• 单路(DS3161)、双路(DS3162)、三路(DS3163)或四路(DS3164)集成LI ATM/分组PHY，用于DS3、E3和纯信道52Mbps (CC52) \n• 引脚兼容，易于在同一PCB平台实现不同的端口密度 \n• 每个端口可独立配置 \n• 通用PHY将ATM信元和/或HDLC数据包映射为DS3或E3数据流 \n• UTOPIA L2/L3或POS-PHY™ L2/L3或SPI-3接口，提供8位、16位或32位总线宽度 \n• 66MHz UTOPIA L3和POS-PHY L3时钟 \n• 52MHz UTOPIA L2和POS-PHY L2时钟 \n• 在POS;

单/双/三/四路ATM/分组PHY，用于DS3/E3/STS-1

DS3161、DS3162、DS3163和DS3164 (DS316x)集成了ATM信元/HDLC数据包处理器，具有DS3/E3成帧器和LIU，能够将ATM信元或数据包映射/反映射为多达四路的DS3/E3数据流，在每个端口提供DS3帧、E3帧或纯信道数据流。 \n• 单路(DS3161)、双路(DS3162)、三路(DS3163)或四路(DS3164)集成LI ATM/分组PHY，用于DS3、E3和纯信道52Mbps (CC52) \n• 引脚兼容，易于在同一PCB平台实现不同的端口密度 \n• 每个端口可独立配置 \n• 通用PHY将ATM信元和/或HDLC数据包映射为DS3或E3数据流 \n• UTOPIA L2/L3或POS-PHY™ L2/L3或SPI-3接口，提供8位、16位或32位总线宽度 \n• 66MHz UTOPIA L3和POS-PHY L3时钟 \n• 52MHz UTOPIA L2和POS-PHY L2时钟 \n• 在POS;

单/双/三/四路ATM/分组PHY，用于DS3/E3/STS-1

DS3161、DS3162、DS3163和DS3164 (DS316x)集成了ATM信元/HDLC数据包处理器，具有DS3/E3成帧器和LIU，能够将ATM信元或数据包映射/反映射为多达四路的DS3/E3数据流，在每个端口提供DS3帧、E3帧或纯信道数据流。 \n• 单路(DS3161)、双路(DS3162)、三路(DS3163)或四路(DS3164)集成LI ATM/分组PHY，用于DS3、E3和纯信道52Mbps (CC52) \n• 引脚兼容，易于在同一PCB平台实现不同的端口密度 \n• 每个端口可独立配置 \n• 通用PHY将ATM信元和/或HDLC数据包映射为DS3或E3数据流 \n• UTOPIA L2/L3或POS-PHY™ L2/L3或SPI-3接口，提供8位、16位或32位总线宽度 \n• 66MHz UTOPIA L3和POS-PHY L3时钟 \n• 52MHz UTOPIA L2和POS-PHY L2时钟 \n• 在POS;

Single/Dual/Triple/Quad ATM/Packet PHYs for DS3/E3/STS-1

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Single/Dual/Triple/Quad ATM/Packet PHYs for DS3/E3/STS-1

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Single/Dual/Triple/Quad ATM/Packet PHYs for DS3/E3/STS-1

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Single/Dual/Triple/Quad ATM/Packet PHYs for DS3/E3/STS-1

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High-speed diodes

DESCRIPTION The BA316, BA317, BA318 are high-speed switching diodes fabricated in planar technology, and encapsulated in hermetically sealed leaded glass SOD27 (DO-35) packages. FEATURES • Hermetically sealed leaded glass SOD27 (DO-35) package • High switching speed: max. 4 ns • G

High-speed diode

DESCRIPTION The BAS316 is a high-speed switching diode fabricated in planar technology, and encapsulated in the SOD323 SMD plastic package. FEATURES • Very small plastic SMD package • High switching speed: max. 4 ns • Continuous reverse voltage: max. 100 V • Repetitive peak reverse voltage:

BROADBAND RF POWER TRANSISTOR NPN SILICON

80 W, 3.0 – 200 MHz CONTROLLED “Q” BROADBAND RF POWER TRANSISTOR NPN SILICON . . . designed primarily for wideband large–signal output amplifier stages in the 30– 200 MHz frequency range. • Guaranteed Performance at 150 MHz, 28 Vdc Output Power = 80 Watts Minimum Gain = 1

Silicon NPN Transistor High Gain, Low Noise Amp

Features: • High Current Gain–Bandwidth Product • Low Noise Figure • High Power Gain

3.0 mm X 7.0 mm Series

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