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LATERAL N-CHANNEL BROADBAND RF POWER MOSFETs

The RF Sub–Micron MOSFET Line RF Power Field Effect Transistors N–Channel Enhancement–Mode Lateral MOSFETs Designed for class A and class AB PCN and PCS base station applications at frequencies up to 2600 MHz. Suitable for FM, TDMA, CDMA, and multicarrier amplifier applications.

MOTOROLA

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MOTOROLA

摩托罗拉

Silicon NPN Transistor Final RF Power Amp, Switch

Applications: • HF Power Amplifiers, Switchings • 27MHz, 4W, AM, Citizens Band Transmitter Output Stage

NTE

Round.Top View Type

文件:32.36 Kbytes Page:1 Pages

PANASONIC

松下

更新时间:2026-5-14 22:50:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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  • DS2781

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