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N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

Features: ● Low Gate Charge for Fast Switching Application ● Low RDS(ON) to Minimize Conductive Loss ● 100% EAS Guaranteed ● Optimized V(BR)DSS Ruggedness ● Green Device Available Description: These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS techno

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爱德微

N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

Product Summary: BVDSS 60V RDSON (MAX.) 10mΩ ID 100A UIS, Rg 100 Tested Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free

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杰力科技

N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

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杰力科技

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

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HMSEMI

华之美半导体

N-Channel MOSFET

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KEXIN

科信电子

更新时间:2025-8-16 22:58:01
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  • DP83620

    DP83620,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

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