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isc N-Channel MOSFET Transistor

• FEATURES • Drain Current :ID= 20A@ TC=25℃ • Drain Source Voltage- : VDSS= 100V(Min) • Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 50mΩ (Max) • 100 avalanche tested • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation • APPLICATIONS • LED backl

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无锡固电

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N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

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DOINGTER

杜因特

更新时间:2025-12-24 23:01:01
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    2023-8-3
  • DP7456 全新原装现货

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    2020-12-3
  • DO3N10

    DO3N10,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

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  • DP83620

    DP83620,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

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