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P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

Features LD-MOS Technology with the Lowest Figure of Merit: RDS(ON) = 85mΩ to Minimize On-State Losses Qg = 3.7nC for Ultra-Fast Switching VGS(TH) = -0.6V Typ. for a Low Turn-On Potential CSP with Footprint 1.0mm × 1.0mm Height = 0.62mm for Low Profile ESD = 3kV HBM Protection of Gate Tota

DIODES

美台半导体

更新时间:2025-10-18 22:59:01
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