DMP3010LK3-13

发布企业:深圳市天芯威科技有限公司时间:2023-5-29 9:18:00

企业深圳市天芯威科技有限公司

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地址:深圳市福田区华强北上步工业区304栋西座406室

产品种类: MOSFET

制造商: Diodes Incorporated

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TO-252-3

晶体管极性: P-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 30 V

Id-连续漏极电流: 17 A

Rds On-漏源导通电阻: 8 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 1.1 V

Qg-栅极电荷: 59.2 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 1.7 W

通道模式: Enhancement

下降时间: 99.3 ns

正向跨导 - 最小值: 30 S

产品类型: MOSFET

上升时间: 9.4 ns

2500

子类别: MOSFETs

晶体管类型: 1 P-Channel

典型关闭延迟时间: 260.7 ns

典型接通延迟时间: 11.4 ns

单位重量: 330 mg

型号查询 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

DIODESDiodes Incorporated

美台半导体

P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

DIODESDiodes Incorporated

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Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability

DIODESDiodes Incorporated

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175C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

DIODESDiodes Incorporated

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2026-1-4 8:38:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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