制造商: Diodes Incorporated
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-252-3
晶体管极性: P-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 17 A
Rds On-漏源导通电阻: 8 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.1 V
Qg-栅极电荷: 59.2 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1.7 W
通道模式: Enhancement
下降时间: 99.3 ns
正向跨导 - 最小值: 30 S
产品类型: MOSFET
上升时间: 9.4 ns
2500
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 P-Channel
典型关闭延迟时间: 260.7 ns
典型接通延迟时间: 11.4 ns
单位重量: 330 mg
