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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

Features • Low On-Resistance • Very Low Gate Threshold Voltage • Low Input Capacitance • Fast Switching Speed • Low Input/Output Leakage • Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 2) • ESD Protected Up To 2kV • Green Device (Note 3) • Qualified to AEC-Q101 standards for High Reliability

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美台半导体

更新时间:2025-12-20 8:10:01
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