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DMN5L06T-7

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

Features • N-Channel MOSFET • Low On-Resistance • Very Low Gate Threshold Voltage • Low Input Capacitance • Fast Switching Speed • Low Input/Output Leakage • Ultra-Small Surface Mount Package • Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 2) • “Green” Device (Note 3)

DIODES

美台半导体

DMN5L06T-7产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    DMN5L06T-7

  • 功能描述

    MOSFET N-Channel

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2026-1-2 23:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
DIODES/美台
24+
NA/
6000
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