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DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

Features • Dual N-Channel MOSFET • Low On-Resistance • Very Low Gate Threshold Voltage, 1.2V max • Low Input Capacitance • Fast Switching Speed • Low Input/Output Leakage • Ultra-Small Surface Mount Package • ESD Protected Gate • Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 &

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美台半导体

更新时间:2026-3-16 14:30:01
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