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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

Features • Low On-Resistance ◾ 90mΩ @ VGS = 4.5V ◾ 110mΩ @ VGS = 2.5V ◾ 200mΩ @ VGS = 1.5V • Low Gate Threshold Voltage • Low Input Capacitance • ESD Protected Gate • Fast Switching Speed • Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) • Halogen and Antimony Fre

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美台半导体

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

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美台半导体

更新时间:2025-10-19 14:35:01
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