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DMN31D5UDJ-7

丝印代码:U3;DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

Features  Low On-Resistance  Very Low Gate Threshold Voltage, 1.0V Max  Low Input Capacitance  Fast Switching Speed  Ultra-Small Surface Mount Package 1mm x 1mm  ESD Protected Gate  Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)  Halogen and Antimony Free. “Green” Device (N

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美台半导体

COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET

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更新时间:2026-3-16 10:20:00
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