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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Description This new generation MOSFET has been designed to minimize the on-state resistance (RDS(on)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. Features • Low On-Resistance • Very Low Gate Threshold Voltage • Low Input | DIODES 美台半导体 |   | ||
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：214.63 Kbytes Page：5 Pages | DIODES 美台半导体 | |
更新时间：2026-1-5 23:01:01
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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