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SINGLE N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

Features • Low On-Resistance • 57mΩ @ VGS = 10V • 112mΩ @ VGS = 4.5V • Low Gate Threshold Voltage • Low Input Capacitance • Fast Switching Speed • Low Input/Output Leakage • Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 2) • Green Device (Note 4) • Qualified to AEC-Q101 Standards for Hi

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美台半导体

更新时间:2025-12-16 23:01:01
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