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DMN22M5UFG-13

20VN-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET

Features LowRDS(ON)–EnsuresOnStateLossesareMinimized SmallFormFactor,ThermallyEfficientPackageEnablesHigher DensityEndProducts OccupiesJust33oftheBoardAreaOccupiedbySO-8Enabling SmallerEndProduct 100UnclampedInductiveSwitching(UIS)Testin Production

DIODESDiodes Incorporated

美台半导体

DIODES
更新时间:2025-7-21 23:00:00
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