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DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

Features • Dual N-Channel MOSFET • Low On-Resistance • 100mΩ @VGS = 4.5V, ID = 2.5A • 140mΩ @VGS = 2.5V, ID = 1.5A • 215mΩ @VGS = 1.8V, ID = 0.1A • Very Low Gate Threshold Voltage • Low Input Capacitance • Fast Switching Speed • ESD Protected Gate to 2kV HBM • Totally Lead-Free

DIODES

美台半导体

更新时间:2025-12-18 9:36:01
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