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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

Description This new generation MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(on)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications. Features • Low On-Resistance • ESD Protected Gate • Totally Lead-Free & Full

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美台半导体

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

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美台半导体

更新时间:2025-12-18 9:36:01
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