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N-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR

Description ThisnewgenerationMOSFETisdesignedtominimizetheon-stateresistance(RDS(on))andyetmaintainsuperiorswitchingperformance,makingitidealforhigh-efficiencypowermanagementapplications. Features •LowOn-Resistance •ESDProtectedGate •TotallyLead-Free&Full

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Diodes Incorporated

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Diodes Incorporated

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更新时间:2025-5-13 20:05:01
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