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DMN2013UFDEQ-13

20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

Features  0.6mm Profile – Ideal for Low Profile Applications  PCB Footprint of 4mm2  Low Gate Threshold Voltage  ESD Protected Gate  Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)  Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)  The DMN2013UFDEQ is suitable for automotive

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美台半导体

DMN2013UFDEQ-13

20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

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美台半导体

更新时间:2025-10-19 23:32:00
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