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DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

Features • Ultra Low Profile Package • Low On-Resistance • Very Low Gate Threshold Voltage, 0.9V Max. • Fast Switching Speed • Low Input/Output Leakage • Ultra-Small Surface Mount Package • ESD Protected Gate • Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) • Halogen and A

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美台半导体

DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

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美台半导体

更新时间:2026-1-3 20:00:01
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