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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
DUALN-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR Features •DualN-ChannelMOSFET •LowOn-Resistance •LowGateThresholdVoltage •LowInputCapacitance •FastSwitchingSpeed •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •ESDProtectedGate •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”D | DIODESDiodes Incorporated 美台半导体 |  |   | |
DUALN-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET 文件：210.85 Kbytes Page：6 Pages | DIODESDiodes Incorporated 美台半导体 | | | |
DUALN-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR 文件：210.01 Kbytes Page：6 Pages | DIODESDiodes Incorporated 美台半导体 | | | |
COMPLEMENTARYPAIRENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR Features •LowOn-Resistance •LowGateThresholdVoltageVGS(th) | DIODESDiodes Incorporated 美台半导体 | | | |
DUALP-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR Description ThisMOSFEThasbeendesignedtominimizetheon-stateresistance(RDS(on))andyetmaintainsuperiorswitchingperformance,makingitidealforhighefficiencypowermanagementapplications. Features •DualP-ChannelMOSFET •LowOn-Resistance •VeryLowGateThresholdVoltageVG | DIODESDiodes Incorporated 美台半导体 | | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Diodes(美台) |
2021/2022+ |
标准封装 |
12000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
|||
DIODES |
23+ |
SOT563 |
60000 |
原装正品现货 |
|||
DIODES/美台 |
24+ |
SOT563 |
6000 |
全新原装现货 |
|||
DIODES/美台 |
25+ |
SOT563 |
54648 |
百分百原装现货 实单必成 欢迎询价 |
|||
DIODES/美台 |
23+ |
SOT563 |
50000 |
原装正品 支持实单 |
|||
DIODES/美台 |
23+ |
SOT563 |
8435 |
原装正品现货假一赔十 |
|||
DIODES/美台 |
24+ |
NA/ |
2771 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
|||
DIODES(美台) |
24+ |
SOT-563 |
10613 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
|||
DIODES/美台 |
22+ |
SOT563 |
6000 |
现货,原厂原装假一罚十! |
|||
DIODES |
21+ |
SOT-563 |
11771 |
原装现货假一赔十 |
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