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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
DUALN-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR Features •DualN-ChannelMOSFET •LowOn-Resistance •LowGateThresholdVoltage •LowInputCapacitance •FastSwitchingSpeed •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •ESDProtectedGate •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”D | DIODESDiodes Incorporated 美台半导体 |  |   | |
DUALN-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET 文件：210.85 Kbytes Page：6 Pages | DIODESDiodes Incorporated 美台半导体 | | | |
DUALN-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR 文件：210.01 Kbytes Page：6 Pages | DIODESDiodes Incorporated 美台半导体 | | | |
COMPLEMENTARYPAIRENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR Features •LowOn-Resistance •LowGateThresholdVoltageVGS(th) | DIODESDiodes Incorporated 美台半导体 | | | |
DUALP-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR Description ThisMOSFEThasbeendesignedtominimizetheon-stateresistance(RDS(on))andyetmaintainsuperiorswitchingperformance,makingitidealforhighefficiencypowermanagementapplications. Features •DualP-ChannelMOSFET •LowOn-Resistance •VeryLowGateThresholdVoltageVG | DIODESDiodes Incorporated 美台半导体 | | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Diodes |
24+ |
SOT-563 |
7500 |
||||
DIODES |
23+ |
SOT563 |
60000 |
原装正品现货 |
|||
DIODES/美台 |
22+ |
SOT563 |
6000 |
现货,原厂原装假一罚十! |
|||
Diodes(美台) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
|||
DIODES |
24+ |
SOT563 |
3560 |
原装现货假一赔十 |
|||
DIODES/美台 |
2023+ |
SOT563 |
6000 |
原厂全新正品旗舰店优势现货 |
|||
DIODES/美台 |
25+ |
SOT563 |
54648 |
百分百原装现货 实单必成 欢迎询价 |
|||
DIODES |
24+ |
N/A |
400602 |
原装原装原装 |
|||
DIODES/美台 |
24+ |
SOT563 |
45000 |
热卖优势现货 |
|||
DIODES |
2025+ |
SOT-563 |
3550 |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
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