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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
DUALN-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR DescriptionandApplications ThisMOSFETisdesignedtominimizetheon-stateresistance(RDS(ON))andyetmaintainsuperiorswitchingperformance,makingitidealforhigh-efficiencypowermanagementapplications. •LoadSwitch Features •DualN-ChannelMOSFET •LowOn-Resistance •LowGate | DIODESDiodes Incorporated 美台半导体 |  |   | |
DUALN-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR 文件：285.4 Kbytes Page：4 Pages | DIODESDiodes Incorporated 美台半导体 | | | |
DUALN-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET 文件：457.81 Kbytes Page：7 Pages | DIODESDiodes Incorporated 美台半导体 | | | |
COMPLEMENTARYPAIRENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR Features •LowOn-Resistance •LowGateThresholdVoltageVGS(th)1V •LowInputCapacitance •FastSwitchingSpeed •LowInput/OutputLeakage •ComplementaryPairMOSFET •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •ESDProtectedGate •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes2&am | DIODESDiodes Incorporated 美台半导体 | | | |
DUALP-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR Description ThisMOSFETisdesignedtominimizetheon-stateresistance(RDS(on))andyetmaintainsuperiorswitchingperformance,makingitidealforhigh-efficiencypowermanagementapplications. Features •DualP-ChannelMOSFET •LowOn-Resistance •LowGateThresholdVoltageVGS(TH) | DIODESDiodes Incorporated 美台半导体 | | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
DIODES/美台 |
25+ |
SOT-363 |
54648 |
百分百原装现货 实单必成 |
|||
DIODES |
1129+ |
SOT363 |
198 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
DIODES(美台) |
2024+ |
SOT-363-6 |
500000 |
诚信服务,绝对原装原盘 |
|||
DIODES |
21+ |
SC-70-6 |
40000 |
全新原装公司现货
|
|||
DIODES/美台 |
24+ |
SOT-363-6 |
42793 |
原装现货,专业配单专家 |
|||
ZETEX/DIODES |
24+ |
SOT-363 |
500227 |
免费送样原盒原包现货一手渠道联系 |
|||
DIODES/美台 |
24+ |
NA |
30000 |
房间原装现货特价热卖,有单详谈 |
|||
DIODES/美台 |
23+ |
SC-70-6(SOT-363) |
25630 |
原装正品 |
|||
Diodes(美台) |
24+ |
SC-70-6(SOT-363) |
7648 |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
|||
DIODES |
2025+ |
SOT363 |
7695 |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
DMN2004DWK-7MOS芯片相关品牌
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