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DUALN-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR

Description ThisMOSFEThasbeendesignedtominimizetheon-stateresistance(RDS(on))andyetmaintainsuperiorswitchingperformance,makingitidealforhighefficiencypowermanagementapplications. Features •LowOn-Resistance •LowGateThresholdVoltage •LowInputCapacitance •Fast

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更新时间:2025-5-21 23:00:01
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