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DM4N65E

MOS(场效应管)

DESAY

德赛

4 Amps, 650 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET

DESCRIPTION The UTC 4N65 is a high voltage power MOSFET designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteristic. This power MOSFETis usually used in high speed switching applications includ

UTC

友顺

Power MOSFET

文件:1.07616 Mbytes Page:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

650V N-Channel Power MOSFET

文件:2.82624 Mbytes Page:10 Pages

DYELEC

迪一电子

Drain Current ID= 4A@ TC=25C

文件:136.78 Kbytes Page:2 Pages

ISC

无锡固电

N-CHANNEL POWER MOSFET

文件:607.6 Kbytes Page:7 Pages

ZSELEC

淄博圣诺

更新时间:2025-12-24 23:01:00
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