位置：首页 > IC中文资料第4361页 > DF200R12KE3
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
DF200R12KE3 | Hochstzulassige Werte / maximum rated values 文件：163.6 Kbytes Page：10 Pages | eupec |   | |
DF200R12KE3 | 1200 V、200 A斩波IGBT模块 | Infineon 英飞凌 | | |
封装/外壳：模块 包装：散装 描述：IGBT MODULE 1200V 1040W 分立半导体产品 晶体管 - IGBT - 模块 | Infineon 英飞凌 | | ||
Technische Information / technical information 文件：172.74 Kbytes Page：9 Pages | eupec | | ||
62mm C-series module with trench/fieldstop IGBT3 and EmCon High Efficiency diode 文件：291.54 Kbytes Page：9 Pages | Infineon 英飞凌 | | ||
62mm C-Serien Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled HE Diode und bereits aufgetragenem Thermal Interface Material 文件：595.81 Kbytes Page：10 Pages | Infineon 英飞凌 | | ||
IGBT-Module 文件：432.08 Kbytes Page：8 Pages | Infineon 英飞凌 | |
DF200R12KE3产品属性
- 类型
描述
- 型号
DF200R12KE3
- 功能描述
IGBT 晶体管 1200V 200A DUAL
- RoHS
否
- 制造商
Fairchild Semiconductor
- 配置
集电极—发射极最大电压
- VCEO
650 V
- 集电极—射极饱和电压
2.3 V
- 栅极/发射极最大电压
20 V 在25
- C的连续集电极电流
150 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
187 W
- 封装/箱体
TO-247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon/英飞凌 |
24+ |
AG-62MM-1 |
6000 |
全新原装深圳仓库现货有单必成 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
23+ |
MODULE |
10000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
|||
三社 |
100 |
原装现货,价格优惠 |
|||||
INFINEON |
23+ |
PZSDZ |
8000 |
只做原装现货 |
|||
EUPEC |
23+ |
200A1200 |
595 |
全新原装正品,量大可订货!可开17%增值票!价格优势! |
|||
Infineon(英飞凌) |
24+ |
AG-62mm-1 |
914 |
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务 |
|||
Infineon |
2526+ |
原厂封装 |
5000 |
15年芯片行业经验/只供原装正品:0755-83272911邹小姐 |
|||
INFINEON |
24+ |
IGBT |
8500 |
原厂原包原装公司现货,假一赔十,低价出售 |
|||
Infineon |
22+ |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
||||
Infineon/英飞凌 |
24+ |
AG-62MM-1 |
25000 |
原装正品,假一赔十! |
DF200R12KE3规格书下载地址
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