位置：首页 > IC中文资料第4361页 > DF200R12KE3
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
DF200R12KE3 | HochstzulassigeWerte/maximumratedvalues 文件：163.6 Kbytes Page：10 Pages | eupec eupec GmbH |  |   |
封装/外壳：模块 包装：散装 描述：IGBT MODULE 1200V 1040W 分立半导体产品 晶体管 - IGBT - 模块 | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 |  | | |
TechnischeInformation/technicalinformation 文件：172.74 Kbytes Page：9 Pages | eupec eupec GmbH | | | |
62mmC-seriesmodulewithtrench/fieldstopIGBT3andEmConHighEfficiencydiode 文件：291.54 Kbytes Page：9 Pages | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | | | |
62mmC-SerienModulmitTrench/FeldstoppIGBT3undEmitterControlledHEDiodeundbereitsaufgetragenemThermalInterfaceMaterial 文件：595.81 Kbytes Page：10 Pages | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | | | |
IGBT-Module 文件：432.08 Kbytes Page：8 Pages | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | | |
DF200R12KE3产品属性
- 类型
描述
- 型号
DF200R12KE3
- 功能描述
IGBT 晶体管 1200V 200A DUAL
- RoHS
否
- 制造商
Fairchild Semiconductor
- 配置
集电极—发射极最大电压
- VCEO
650 V
- 集电极—射极饱和电压
2.3 V
- 栅极/发射极最大电压
20 V 在25
- C的连续集电极电流
150 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
187 W
- 封装/箱体
TO-247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies |
24+ |
模块 |
30000 |
晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
模块 |
8073 |
一级代理原装正品现货,支持实单! |
||||
Infineon/英飞凌 |
24+ |
AG-62MM-1 |
25000 |
原装正品,假一赔十! |
|||
Infineon/英飞凌 |
24+ |
AG-62MM-1 |
6000 |
全新原装深圳仓库现货有单必成 |
|||
EUPEC/欧派克 |
19+ |
MODULE |
1290 |
主打模块,大量现货供应商QQ2355605126 |
|||
Infineon/英飞凌 |
23+ |
AG-62MM-1 |
25630 |
原装正品 |
|||
Infineon |
1844+ |
LQFP |
9852 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
|||
英飞凌 |
23+ |
IGBT |
3000 |
全新原装现货,价格优势 |
|||
EUPEC |
23+ |
原厂原装 |
9960 |
价格优势/原装现货/客户至上/欢迎广大客户来电查询 |
|||
EUPEC |
23+ |
200A/1200V/I |
50 |
全新原装、诚信经营、公司现货销售 |
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2019-4-18
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