位置：首页 > IC中文资料第4361页 > DF200R12KE3
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
DF200R12KE3 | Hochstzulassige Werte / maximum rated values 文件：163.6 Kbytes Page：10 Pages | eupec |   | |
封装/外壳：模块 包装：散装 描述：IGBT MODULE 1200V 1040W 分立半导体产品 晶体管 - IGBT - 模块 | Infineon 英飞凌 | | ||
Technische Information / technical information 文件：172.74 Kbytes Page：9 Pages | eupec | | ||
62mm C-series module with trench/fieldstop IGBT3 and EmCon High Efficiency diode 文件：291.54 Kbytes Page：9 Pages | Infineon 英飞凌 | | ||
62mm C-Serien Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled HE Diode und bereits aufgetragenem Thermal Interface Material 文件：595.81 Kbytes Page：10 Pages | Infineon 英飞凌 | | ||
IGBT-Module 文件：432.08 Kbytes Page：8 Pages | Infineon 英飞凌 | |
DF200R12KE3产品属性
- 类型
描述
- 型号
DF200R12KE3
- 功能描述
IGBT 晶体管 1200V 200A DUAL
- RoHS
否
- 制造商
Fairchild Semiconductor
- 配置
集电极—发射极最大电压
- VCEO
650 V
- 集电极—射极饱和电压
2.3 V
- 栅极/发射极最大电压
20 V 在25
- C的连续集电极电流
150 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
187 W
- 封装/箱体
TO-247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon/英飞凌 |
24+ |
AG-62MM-1 |
25000 |
原装正品,假一赔十! |
|||
EUPEC/欧派克 |
19+ |
MODULE |
1290 |
主打模块,大量现货供应商QQ2355605126 |
|||
Infineon/英飞凌 |
23+ |
AG-62MM-1 |
25630 |
原装正品 |
|||
Infineon/英飞凌 |
2022+ |
AG-62MM-1 |
48000 |
只做原装,原装,假一罚十 |
|||
Infineon Technologies |
23+ |
原装 |
8000 |
只做原装现货 |
|||
Infineon Technologies |
23+ |
原装 |
7000 |
||||
Infineon/英飞凌 |
2025+ |
AG-62MM-1 |
8000 |
||||
1950+ |
980 |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
|||||
Infineon/英飞凌 |
21+ |
AG-62MM-1 |
6820 |
只做原装,质量保证 |
|||
Infineon |
23+ |
NA |
5000 |
原厂授权一级代理 IGBT模块 可控硅 晶闸管 熔断器质保 |
DF200R12KE3规格书下载地址
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2019-4-18
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